高特 ESD防护器件
相关结果约1870223条【选型】超低电容tvs管是RF天线ESD防护器件的首选
射频电路不仅要考虑ESD安全,还要注意RF性能,不能因为用了ESD器件后,就不管RF天线和RF器件之间的阻抗匹配,同样会使得系统失配,进而影响系统性能甚至安全。我们知道,ESD防护器件比如二级管都是有寄生电容的, 该电容在RF电路中有其等效电阻。因此,超低电容的tvs管是RF天线的首选,以高特半导体的GESD0501BU为例,其电容仅有0.25pf。
【选型】高特(GoalTop)ESD防护器件/二极管/整流器选型指南
ESD防护器件 公司简介 产品&客户概述 极快恢复二极管 低正向肖特基二极管 二极管特点 肖特基二极管 肖特基桥 标准整流器 标准整流器桥 极快恢复二极管 极快恢复整流器桥 高效二极管 超快恢复二极管 瞬态电压抑制器 小信号产品
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广告 发布时间 : 2025-03-03
高特四通道超低电容深回扫ESD防护器件GESD3324PL,0.2pF超低电容、超强ESD防护能力
在高速数据传输时代,接口的稳定性和抗干扰能力至关重要。高特GESD3324PL作为一款专为高速数据接口设计的四通道超低电容深回扫ESD防护器件,以0.2pF超低电容、超强ESD防护能力和超低箝位电压三大核心优势,成为HDMI、USB、DisplayPort等接口的“隐形守护者”。
【应用】高特ESD二极管用于TYPE-C PD充电器的ESD防护方案,具有小封装、低功耗等优势
本文主要介绍采用3颗及5颗高特ESD二极管为type-c PD充电器进行ESD防护的方案。方案具有如下优势:封装体积小,节约PCB板的空间;满足IEC61000-4-2,等级4,最大可承受接触放电±30kV,空气放电±30kV,能在反复的ESD情况下任然完好无损;所用器件均拥有极低漏电电流,有效减少正常工作下的功率能耗。
【元件】高特GESD5B284JDO四通道静电防护器件震撼发布!专为 PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造!
PD USB-C接口的快速发展,对静电防护器件提出了更高的要求。高特电子全新推出的GESD5B284JDO四通道静电防护器件,专为PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造,为您的设备提供全方位的静电防护。
【产品】国产5V超低容ESD防护器件GESD0501BU,采用DFN1006封装
高特微电子推出的GESD0501BU是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。 GESD0501BU采用超小型DFN1006封装,GESD0501BU的典型电容为0.25pF,旨在保护寄生敏感系统免受过压和过流瞬态事件的影响。
【产品】8通道5V超低容ESD防护器件GESD0508P,提供高达25kV的ESD保护,采用DFN3810-9L封装
高特微推出了8通道5V超低容ESD防护器件—GESD0508P,用于在USB、LVDS、千兆以太网、HDMI和其他计算接口中防止静电放电和浪涌瞬态电压。该新器件为八条轨对轨数据线提供保护,使其最适合于电路板空间最小的应用场景。
【产品】国产双向24V低容ESD防护器件GSM24T3C,采用SOT-323小型封装
高特微电子的浪涌型防护二极管(ESD防护器件)GSM24T3C,设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为24 V,IPP在4A的条件下钳位电压最大仅有50V,工作电压下仅有1μA的超低漏电电流,符合61000-4-2与61000-4-4的防护标准。
【选型】国产0.4pF超低容值ESD阵列助力工业相机Camera Link接口ESD防护设计
为避免工业相机Camera Link接口因静电影响造成传输的数据丢失或相关敏感电子器件被打死,可选择多通道低容值TVS阵列设计,推荐高特超低容值ESD阵列GESD3324P,采用“直通型”设计结构,最大反向工作电压3.3V,典型I/O对I/O电容低至0.2pF。
【产品】高特DFN1006封装外形高压超低容静电防护器件,涵盖12V、15V、24V三个工作电压段
射频天线(RF)、近距离无线通信(NFC)等应用场景存在较高的工作电压,加上其通信频率越来越高,故高压超低容静电防护器件应运而生。高特就此推出12V、15V、24V三个工作电压段,本文重点介绍高特DFN1006封装外形的高压超低容系列静电防护器件。
【产品】国产双向5V低容ESD防护器件GESD0502TCN,采用SOT-23小型封装
高特微电子的浪涌型防护二极管(ESD防护器件)GESD0502TCN,设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为5 V,IPP在6A的条件下钳位电压最大仅有12V,工作电压下仅有1μA的超低漏电电流。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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